Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Разработка технологии однофотонных источников излучения ближнего ИК-диапазона на основе точечных дефектов в кремнии
Нижний Новгород
Область знаний
Квантовая физика
A.A. Nikolskaya et al, Thermally stable photoluminescence centers at 1240 nm in silicon obtained by irradiation of the SiO2/Si system // Journal of Applied Physics, Vol. 135, No 21, 215703 (2024)
Работа посвящена разработке однофотонных источников излучения ближнего инфракрасного диапазона на основе точечных дефектов в кремнии. В исследовании рассматриваются механизмы формирования термически стабильных фотолюминесцентных центров в системе SiO2/Si, а также перспективы применения кремниевых однофотонных источников в квантовых коммуникациях и фотонных квантовых технологиях.
Работа посвящена разработке однофотонных источников излучения ближнего инфракрасного диапазона на основе точечных дефектов в кремнии. В исследовании рассматриваются механизмы формирования термически стабильных фотолюминесцентных центров в системе SiO2/Si, а также перспективы применения кремниевых однофотонных источников в квантовых коммуникациях и фотонных квантовых технологиях.